Тип: Биполярный транзистор
Тип проводимости: NPN
Максимальный ток: коллектора (Iк max) — 0,1 А
Аналог: КТ3102Г; КТ3102Е
Коэффициент усиления: h21e — 110…800
Комплементарная пара: BC557
Максимально допустимое напряжение: коллектор-эмиттер (Uкэ max)-45 В; коллектор-база (Uкб max) -50 В; эмиттер-база (Uэб max)-6 В
Мощность: рассеиваемая коллектора (Pк max) — 500 мВт
Вес брутто: 0.18
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-92

Тип проводимости: NPN
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 45
Максимальный постоянный ток коллектора, А: 0,1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 0,2
Коэффициент усиления hFE мин.: 200
Корпус: SOT-23

Вес брутто: 2.70
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*40*40/500
Тип: MOSFET
Корпус: TO-220
Способ монтажа: Through Hole
Тип проводимости: N

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 180
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2,7
Вес брутто: 2.95
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220

Производство: Импорт, International Rectifier***
Год:2022

Производство: Импорт, Infineon Technologies***
Год:2022

Корпус: TO-220

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -10,5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 25
Емкость, пФ: 9250
Заряд затвора, нКл: 110
Вес брутто: 0.24
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOP-8

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2N
Вес брутто: 0.24
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOP-8

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Вес брутто: 0.23
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOP-8

Производство: Импорт, International Rectifier***
Год:2022

Производство: Импорт, International Rectifier***
Год:2022

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Вес брутто: 0.17
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: PQFN-8

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Вес брутто: 6.25
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Вес брутто: 6.33
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC

Производство: Импорт, International Rectifier***
Год:2022

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Вес брутто: 0.45
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)

Производство: Импорт, International Rectifier***
Год:2022

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Вес брутто: 0.45
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)

Производство: Импорт, ST Microelectronics***
Год:2022

Корпус: TO-220
Тип проводимости: PNP

Производство: Импорт, PEAK
Год:2022

Производство: Импорт, RUICHI
Год:2022

Вес брутто: 6.80
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 62*28*27.5/2000
Номинальное напряжение: 250
Напряжение: 250
Особенности: Полый контакт
Материал: Пластик
Исполнение: С заземлением
Номинальный ток, А: 10

Вес брутто: 13.45
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 43*29*39/1000
Номинальное напряжение: 250
Напряжение: 250
Особенности: Цельнолитой контакт
Материал: Пластик
Номинальный ток, А: 16

Вес брутто: 4.35
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 45*35*30/3000
Номинальное напряжение: 250
Напряжение: 250
Особенности: Полый контакт
Материал: Пластик
Номинальный ток, А: 2,5

Вес брутто: 10.13
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 43*29*39/1500
Номинальное напряжение: 250
Напряжение: 250
Особенности: Цельнолитой контакт
Материал: Пластик
Номинальный ток, А: 6

Тип: Корпус негерметичный литой из алюминиевого сплава
Цвет: неокрашеный
Материал корпуса: алюминиевый сплав
Высота, мм: 55
Ширина, мм: 146
Глубина, мм: 222

Производство: Импорт, GAINTA
Год:2022

Тип: Корпус негерметичный литой из алюминиевого сплава
Цвет: черный
Материал корпуса: алюминиевый сплав
Высота, мм: 30,3
Ширина, мм: 63,6
Глубина, мм: 114,5