Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Емкость, пФ: 2820
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1.8В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,5 Вт
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -19
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 100
Емкость, пФ: 620
Заряд затвора, нКл: 35
Описание: P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 68 Вт
Вес брутто: 3.05
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 120
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 4,5
Емкость, пФ: 9620
Заряд затвора, нКл: 210
Описание: N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 370 Вт
Вес брутто: 3.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*41*31/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 250
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 60
Вес брутто: 2.77
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 1,9
Описание: MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,1 Вт
Вес брутто: 0.39
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 1,8
Емкость, пФ: 270
Заряд затвора, нКл: 12
Описание: P-Channel 60 V 1.8A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.40
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 110
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 80
Емкость, пФ: 4000
Заряд затвора, нКл: 170
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 6.95
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*32*18/900
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 30 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 400
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 23
Заряд затвора, нКл: 210
Описание: MOSFET 400V N-CH HEXFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Время: задержки включения/ выключения — 79/ 67 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 280 Вт
Вес брутто: 6.70
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 25 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 150
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 171
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 4,8
Заряд затвора, нКл: 151
Описание: 150V, 171A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 3 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 517 Вт
Вес брутто: 7.44
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 25 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270
Емкость, пФ: 3600
Заряд затвора, нКл: 120
Описание: MOSFET 500V N-CH HEXFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Время: задержки включения/ выключения — 77/ 43 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 280 Вт
Вес брутто: 7.00
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 25 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270
Емкость, пФ: 4200
Заряд затвора, нКл: 210
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 5.99
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 30 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 20
Емкость, пФ: 2950
Заряд затвора, нКл: 165
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.55
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 42*28*18.5/2500
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: 2500

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 24
Емкость, пФ: 1365
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 2.99
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 98
Емкость, пФ: 510
Заряд затвора, нКл: 14
Описание: P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,25 Вт
Вес брутто: 0.07
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*49/9000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -12
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -4,3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50
Емкость, пФ: 830
Заряд затвора, нКл: 10
Вес брутто: 0.03
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 45*45*24/60000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50
Емкость, пФ: 633
Заряд затвора, нКл: 8
Вес брутто: 0.03
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 45*45*24/90000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 66
Емкость, пФ: 589
Заряд затвора, нКл: 5,5
Вес брутто: 0.03
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 25
Емкость, пФ: 405
Заряд затвора, нКл: 5,5
Вес брутто: 0.03
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 18
Заряд затвора, нКл: 6
Вес брутто: 0.03
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5,6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 35
Заряд затвора, нКл: 5,8
Вес брутто: 0.03
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -4,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 40
Заряд затвора, нКл: 21
Вес брутто: 0.04
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 286
Заряд затвора, нКл: 3,3
Вес брутто: 0.03
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Описание: 600V, 11A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 1.62
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*40*51/500
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 550
Емкость, пФ: 550
Заряд затвора, нКл: 19
Описание: N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 25 В
Мощность: рассеиваемая (max) — 70 Вт
Вес брутто: 0.56
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 67*45*51/2000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Описание: 600V, MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.53
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*47*46/2500
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Вес брутто: 2.44
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*54/500
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220F

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Описание: 900V, 8A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 2.71
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220F
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Описание: 600V, 10A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 2.62
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*48/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220F
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Описание: 600V, 4A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 25 Вт
Вес брутто: 2.62
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*49/5000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220F
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Описание: 75V, 80A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 2.94
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 67*45*51/5000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1