Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 180
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2,7
Емкость, пФ: 4340
Заряд затвора, нКл: 150
Описание: 40V, 180A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 200 Вт
Вес брутто: 2.88
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 100 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 110
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 8
Заряд затвора, нКл: 146
Описание: 55V, 110A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 200 Вт
Вес брутто: 2.93
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*41*26/6000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 57
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 23
Заряд затвора, нКл: 86,7
Описание: 100V, 57A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 200 Вт
Вес брутто: 3.09
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 75
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 140
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 7
Заряд затвора, нКл: 150
Описание: 75V, 140A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 330 Вт
Вес брутто: 3.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -74
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 20
Емкость, пФ: 3400
Заряд затвора, нКл: 180
Описание: 55V, 74A P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 200 Вт
Вес брутто: 3.03
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*36/3000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -40
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 60
Заряд затвора, нКл: 180
Описание: 100V, 40A P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 200 Вт
Вес брутто: 3.03
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*56/3000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 17
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 90
Заряд затвора, нКл: 37
Описание: 100V, 17A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 70 Вт
Вес брутто: 2.81
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 100 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 33
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 44
Описание: 100V, 33A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 130 Вт
Вес брутто: 3.03
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*41*26/3000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 100 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150
Заряд затвора, нКл: 67
Описание: 200V, 18A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 130 Вт
Вес брутто: 3.03
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*41*31/4000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 100 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -10,5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 15
Заряд затвора, нКл: 73
Описание: 40V, 10.5A P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2.5 Вт
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3,6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 100
Заряд затвора, нКл: 25
Описание: 30V, 3.6A 2P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.23
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N+P
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30 / -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4 / -3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50 / 100
Заряд затвора, нКл: 25
Описание: 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1.4 Вт
Вес брутто: 0.23
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 18
Заряд затвора, нКл: 42
Описание: 20V, 9A 2P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.34
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 43
Заряд затвора, нКл: 24
Описание: 55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.24
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/4000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 9,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12,5
Заряд затвора, нКл: 6
Описание: 30V, 9.7A 2N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1.8В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.22
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 23
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 117
Заряд затвора, нКл: 97
Описание: 100V, 23A P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 140 Вт
Вес брутто: 2.83
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 250
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 60
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 29
Емкость, пФ: 5860
Заряд затвора, нКл: 150
Описание: 250V, 60A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 3В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 390 Вт
Вес брутто: 2.99
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 40
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1,1
Заряд затвора, нКл: 120
Описание: 30V, 40A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Время: задержки включения/ выключения — 31/ 26 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 3,6 Вт
Вес брутто: 0.16
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*41/1000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: PQFN-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 40
Описание: 200V, 50A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 17/ 55 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 300 Вт
Вес брутто: 7.45
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 25 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 75
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 195
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1,46
Заряд затвора, нКл: 380
Описание: 75V, 195A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 520 Вт
Вес брутто: 8.12
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 25 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 9,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 210
Заряд затвора, нКл: 25
Описание: 100V, 9.4A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 4.5/ 32 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 48 Вт
Вес брутто: 0.62
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -31
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 65
Заряд затвора, нКл: 63
Описание: 55V, 31A P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 14/ 39 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 110 Вт
Вес брутто: 0.64
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -11
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 175
Заряд затвора, нКл: 19
Описание: 55V, 11A P-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 38 Вт
Вес брутто: 0.64
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/10000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 49
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 17,5
Заряд затвора, нКл: 63
Описание: 55V, 49A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 94 Вт
Вес брутто: 3.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*45*36/10000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Производство: Импорт, Infineon Technologies
Год:2018
Срок поставки: MSL1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 17
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 65
Описание: 55V, 17A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 7.1/ 20 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 45 Вт
Вес брутто: 0.63
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 190
Заряд затвора, нКл: 87
Описание: 600V, 20,7A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2.1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Назначение: управление силовыми цепями
Ток утечки: непрерывный — 20,7 А
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая — 208 Вт
Вес брутто: 3.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 56*46*36/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Вес: 360 г
Тип: Трансформатор тороидальный серии ТПП
Максимальная выходная мощность: 15 Вт
Выходной ток: 1,5 А
Напряжение: вторичной обмотки при номинальной нагрузке — 10 В

Производство: Россия, ТОРЭЛ
Год:2022