Транзисторы разные

IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12,2
Емкость, пФ: 2500
Заряд затвора, нКл: 26
Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 94 Вт
Вес брутто: 0.55
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Цена: 132.69 Руб.