Транзисторы разные

IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 5
Емкость, пФ: 980
Заряд затвора, нКл: 80
Описание: MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Время: задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
Вес брутто: 2.82
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220AB
Упаковка: TUBE, 1000 шт.

Цена: 118.47 Руб.