Транзисторы разные

SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270
Емкость, пФ: 2942
Заряд затвора, нКл: 76
Описание: 500V, 20A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 5 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая - 250 Вт
Вес брутто: 6.70
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/500
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247-3
Упаковка: TUBE, 25 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Цена: 147.67 Руб.