Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -13
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 205
Емкость, пФ: 760
Заряд затвора, нКл: 58
Описание: MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 66 Вт
Вес брутто: 0.64
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Наш телефон: