Режим работы: Стандартный, бесснаберный
Способ монтажа: Сквозной
Максимальное обратное повторяющееся напряжение (Vdrm), В: 600
Коммутируемый ток, А: 25
Максимальный ударный ток (Itsm), А: 250
Ток удержания, мА: 75
Корпус: TO-220
Упаковка: Tube, 50 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Вес брутто: 3.17
Режим работы: Стандартный, бесснаберный
Способ монтажа: Сквозной
Коммутируемый ток, А: 25
Максимальный ударный ток (Itsm), А: 250
Ток удержания, мА: 75
Ток управления (I-II-III-IV), мА: 50-50-50—
Корпус: TO-220
Упаковка: Tube, 50 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Вес брутто: 3.20
Режим работы: Стандартный, бесснаберный
Способ монтажа: Сквозной
Максимальное обратное повторяющееся напряжение (Vdrm), В: 800
Коммутируемый ток, А: 25
Максимальный ударный ток (Itsm), А: 250
Ток удержания, мА: 60
Ток управления (I-II-III-IV), мА: 35-35-35—
Предельная скорость нарастания dV/dt, В/мкс: 1000
Корпус: TO-220AB ins
Упаковка: 50 шт
Вес брутто: 3.40
Режим работы: 4Q
Способ монтажа: Сквозной
Максимальное обратное повторяющееся напряжение (Vdrm), В: 600
Коммутируемый ток, А: 25
Максимальный ударный ток (Itsm), А: 250
Ток удержания, мА: 80
Корпус: TOP-3
Упаковка: 30 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Вес брутто: 6.80
Способ монтажа: Сквозной
Максимальное обратное повторяющееся напряжение (Vdrm), В: 600
Коммутируемый ток, А: 40
Максимальный ударный ток (Itsm), А: 400
Ток удержания, мА: 80
Корпус: TOP-3
Упаковка: 30 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Вес брутто: 6.80
Режим работы: Стандартный, бесснаберный
Максимальное обратное повторяющееся напряжение (Vdrm), В: 800
Коммутируемый ток, А: 40
Максимальный ударный ток (Itsm), А: 420
Ток удержания, мА: 100
Ток управления (I-II-III-IV), мА: 50-50-50-70
Предельная скорость нарастания dV/dt, В/мкс: 1200
Корпус: TG-C
Упаковка: 10 шт
Вес брутто: 30.17
Режим работы: Стандартный, бесснаберный
Максимальное обратное повторяющееся напряжение (Vdrm), В: 1200
Коммутируемый ток, А: 80
Максимальный ударный ток (Itsm), А: 800
Ток удержания, мА: 60
Ток управления (I-II-III-IV), мА: 50-50-50—
Предельная скорость нарастания dV/dt, В/мкс: 1000
Корпус: TG-C
Упаковка: 100 шт
Вес брутто: 31.83
Тип: IGBT транзистор
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 650
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Корпус: TO-220
Вес брутто: 3.10
Упаковка: 50
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимости: PNP
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100
Максимальный постоянный ток коллектора, А: -5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 2
Коэффициент усиления hFE мин.: 1000
Корпус: TO-220
Вес брутто: 2.98
Упаковка: 50
Тип проводимости: NPN
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 100
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: 5
Максимальный постоянный ток коллектора, А: 25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Коэффициент усиления hFE мин.: 10
Коэффициент усиления hFE макс.: 80
Граничная частота ft, МГц: 3
Корпус: TO-3P
Вес брутто: 6.70
Упаковка: 30
Тип проводимости: PNP
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
Максимальный постоянный ток коллектора, А: -25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Коэффициент усиления hFE мин.: 15
Коэффициент усиления hFE макс.: 80
Граничная частота ft, МГц: 3
Корпус: TO-3P
Вес брутто: 6.60
Упаковка: 30
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1000
Емкость, пФ: 50
Заряд затвора, нКл: 1,7
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.06
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 5000
Емкость, пФ: 50
Диапазон рабочих температур: -65…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30В
Мощность: постоянная рассеиваемая (Pd) — 800 мВт
Вес брутто: 0.03
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23-3
Упаковка: REEL, 3000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 650
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1200
Емкость, пФ: 1130
Заряд затвора, нКл: 24
Диапазон рабочих температур: -45…+125 °С
Вес брутто: 2.71
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220F
Упаковка: TUBE, 50 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 15
Емкость, пФ: 160
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.32
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 160
Емкость, пФ: 444,2
Заряд затвора, нКл: 11,3
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*21/15000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -50
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -0,13
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2000
Емкость, пФ: 25
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.06
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1500
Емкость, пФ: 25
Заряд затвора, нКл: 0,65
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.04
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 12
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 85
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.76
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 140
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1,65
Емкость, пФ: 3830
Заряд затвора, нКл: 66
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 3.30
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 58
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 7,5
Емкость, пФ: 4020
Заряд затвора, нКл: 78
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.60
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 58
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 7,5
Емкость, пФ: 4020
Заряд затвора, нКл: 78
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 3.25
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 22
Емкость, пФ: 1540
Заряд затвора, нКл: 31
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 3.66
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*32*18/4000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Тип: IGBT
Описание: IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Диапазон рабочих температур: -40…+175 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 326 Вт
Вес брутто: 8.28
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 69*50*55/900
Корпус: TO-247
Упаковка: TUBE, 30 шт.
Тип: IGBT
Описание: IGBT Trench 650 V 79 A 230 W Through Hole PG-TO247-3
Диапазон рабочих температур: -40…+175 °С
Мощность: 230 Вт
Вес брутто: 8.50
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247
Упаковка: TUBE, 30 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Тип: IGBT
Описание: IGBT Trench 650 V 80 A 274 W Through Hole PG-TO247-3
Диапазон рабочих температур: -40…+175 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 274 Вт
Вес брутто: 8.50
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247
Упаковка: TUBE, 30 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Тип: Полевой N-канальный транзистор
Описание: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 300 Вт
Вес брутто: 1.70
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263-7 (D2PAK)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Наш телефон: