Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5,8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 28
Емкость, пФ: 825
Заряд затвора, нКл: 10
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*21/30000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 29
Емкость, пФ: 650
Заряд затвора, нКл: 6,8
Описание: MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 800 мВ
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/9000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 63
Емкость, пФ: 270
Заряд затвора, нКл: 2,9
Описание: MOSFET MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 800 мВ
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*56/18000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -12
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -4,3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50
Емкость, пФ: 830
Заряд затвора, нКл: 15
Описание: MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 8 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*50/18000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/3000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3,6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 64
Емкость, пФ: 388
Заряд затвора, нКл: 4,8
Описание: MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.07
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*41/6000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 185
Емкость, пФ: 440
Заряд затвора, нКл: 20
Описание: MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 35/ 22 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 48 Вт
Вес брутто: 0.64
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 42
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 40
Емкость, пФ: 1700
Заряд затвора, нКл: 48
Описание: MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 84/ 15 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 69 Вт
Вес брутто: 0.65
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 380
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1
Емкость, пФ: 10990
Заряд затвора, нКл: 180
Описание: MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2,5 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 590/ 200 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 380 Вт
Вес брутто: 1.83
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/300
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263-7
Упаковка: REEL, 800 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150
Емкость, пФ: 160
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.35
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: 80
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 28
Емкость, пФ: 4700
Заряд затвора, нКл: 160
Описание: P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 3 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free)
Упаковка: 3000
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: 80
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 28
Емкость, пФ: 4700
Заряд затвора, нКл: 160
Описание: P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 3 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Вес брутто: 0.15
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 56*46*36/400
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
Упаковка: 3000
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270
Емкость, пФ: 2942
Заряд затвора, нКл: 76
Описание: 500V, 20A N-Channel MOSFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 5 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая — 250 Вт
Вес брутто: 6.70
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/500
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247-3
Упаковка: TUBE, 25 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 800
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 17
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 290
Заряд затвора, нКл: 91
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2.1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 3.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*49/500
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 650
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 47
Заряд затвора, нКл: 320
Описание: N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 3.9 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (max) — 415 Вт
Вес брутто: 8.56
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*51/250
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247-3
Упаковка: TUBE, 25 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Вес брутто: 0.41
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000

Вес брутто: 0.66
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000

Вес брутто: 0.54
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2500

Вес брутто: 0.61
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*37/2500

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0.4
Емкость, пФ: 156
Описание: 600V, 0.4A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.25
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*37/4000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0.3
Емкость, пФ: 94
Описание: 600V, 0.3A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.23
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*37/4000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0.25
Емкость, пФ: 160
Заряд затвора, нКл: 7,7
Описание: N-Channel 800 V 250mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.26
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*37/4000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 800
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 900
Емкость, пФ: 2180
Заряд затвора, нКл: 72
Описание: N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (max) — 40 Вт
Вес брутто: 2.57
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3 FP
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 12
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 350
Емкость, пФ: 1000
Заряд затвора, нКл: 39
Описание: N-Channel 500 V 12A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Диапазон рабочих температур: -65…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 35 Вт
Вес брутто: 2.55
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 56*46*41/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3 FP
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 290
Емкость, пФ: 1500
Заряд затвора, нКл: 54
Описание: N-Channel 600 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Диапазон рабочих температур: +150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 45 Вт
Вес брутто: 2.67
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/150
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3 FP
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 165
Емкость, пФ: 1800
Заряд затвора, нКл: 60
Описание: N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Диапазон рабочих температур: +150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (max) — 140 Вт
Вес брутто: 2.83
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/400
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 800
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 3500
Емкость, пФ: 575
Заряд затвора, нКл: 22.5
Описание: N-Channel 800 V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 25 Вт
Вес брутто: 2.56
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3 FP
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 18
Емкость, пФ: 1300
Заряд затвора, нКл: 60
Описание: N-Channel 60 V 50A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 110 Вт
Вес брутто: 2.90
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*31/3000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 6
Емкость, пФ: 905
Заряд затвора, нКл: 46
Описание: N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 30 Вт
Вес брутто: 2.56
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*36/5000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3 FP
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 900
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5,8
Емкость, пФ: 1350
Описание: 900V, 5.8A N-Channel MOSFET
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 30 Вт
Вес брутто: 2.44
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 56*46*36/500
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3 FP
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1