Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 130
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 9,7
Емкость, пФ: 10720
Заряд затвора, нКл: 241
Описание: MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения — 105/ 74 нс
Ток утечки: непрерывный (Id) — 130 А
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 520 Вт
Вес брутто: 7.47
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247
Упаковка: TUBE, 25 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 800
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 7,8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1200
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 6.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*32*18/450
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: TUBE, 30 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 30
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 26
Емкость, пФ: 1378
Заряд затвора, нКл: 12,6
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.56
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 44
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 27
Емкость, пФ: 1300
Заряд затвора, нКл: 65
Описание: MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 107 Вт
Вес брутто: 0.63
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*56/2000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -13
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 205
Емкость, пФ: 760
Заряд затвора, нКл: 58
Описание: MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 66 Вт
Вес брутто: 0.64
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 43
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 54
Емкость, пФ: 2900
Заряд затвора, нКл: 91
Описание: MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 5 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 320 Вт
Вес брутто: 2.31
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 69*50*55/800
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Упаковка: REEL, 800 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 53
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12
Емкость, пФ: 2050
Заряд затвора, нКл: 50
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 2.90
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 200
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 3,1
Емкость, пФ: 5080
Заряд затвора, нКл: 110
Описание: MOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 230 Вт
Вес брутто: 3.15
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*60/200
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 36
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 44
Емкость, пФ: 1800
Описание: MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 140 Вт
Вес брутто: 2.82
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 63*44*44/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 62
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 8,7
Емкость, пФ: 1077
Заряд затвора, нКл: 13
Описание: MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 65 Вт
Вес брутто: 2.82
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 56*46*36/1500
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 140
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2,1
Емкость, пФ: 6201
Заряд затвора, нКл: 257
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 0.35
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*32*18/1000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 140
Емкость, пФ: 230
Заряд затвора, нКл: 14
Описание: MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1 Вт
Вес брутто: 0.38
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*49/2500
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 100
Емкость, пФ: 510
Заряд затвора, нКл: 15,6
Описание: MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1 Вт
Вес брутто: 0.31
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*48/2500
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5,2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 40
Заряд затвора, нКл: 48
Описание: MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1 Вт
Вес брутто: 0.39
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/5000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5,3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 27
Емкость, пФ: 382
Заряд затвора, нКл: 2,6
Описание: MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1,3 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 63*44*44/12000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3,6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 54
Емкость, пФ: 266
Заряд затвора, нКл: 3,9
Описание: MOSFET MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 63*44*44/6000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 2,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 116
Емкость, пФ: 290
Заряд затвора, нКл: 2,5
Описание: MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Время: задержки включения/ выключения — 6,3/ 4,2 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,25 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*48/9000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 1,6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 220
Емкость, пФ: 290
Заряд затвора, нКл: 2,5
Описание: MOSFET MOSFT 100V 1.6A 220mOhm 2.5nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*56/12000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 2,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 100
Емкость, пФ: 110
Заряд затвора, нКл: 1
Описание: MOSFET MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1,3 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*50/15000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -4,3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 570
Емкость, пФ: 570
Заряд затвора, нКл: 6,9
Описание: MOSFET MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 400 мВ
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.07
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*50/6000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 1,2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 250
Заряд затвора, нКл: 3,9
Описание: MOSFET MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 700 мВ
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 540 мВт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/21000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 45
Емкость, пФ: 740
Заряд затвора, нКл: 12
Описание: MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,25 Вт
Вес брутто: 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 53*44*45/15000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 1,2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 250
Емкость, пФ: 85
Заряд затвора, нКл: 5
Описание: MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 540 мВт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 62*50*52/9000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,76
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 600
Емкость, пФ: 75
Заряд затвора, нКл: 5,1
Описание: MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 540 мВт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 62*50*52/15000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -4,2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 45
Емкость, пФ: 880
Заряд затвора, нКл: 8,5
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.04
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 98
Заряд затвора, нКл: 9,5
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*34/9000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 22
Емкость, пФ: 630
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 41*41*31/30000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 6,3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 21
Емкость, пФ: 700
Заряд затвора, нКл: 8,9
Описание: MOSFET MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 62*50*52/12000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 46
Емкость, пФ: 290
Заряд затвора, нКл: 3,5
Описание: MOSFET MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,3 Вт
Вес брутто: 0.07
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*41/6000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -0,78
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 600
Емкость, пФ: 97
Заряд затвора, нКл: 3,6
Описание: MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 540 мВт
Вес брутто: 0.06
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*41*31/12000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.