Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 85
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 7,5
Емкость, пФ: 3091
Заряд затвора, нКл: 72
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 3.00
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 230
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2,3
Емкость, пФ: 7000
Заряд затвора, нКл: 190
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 2.89
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 28
Емкость, пФ: 2500
Заряд затвора, нКл: 25
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 3.00
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*32*18/3000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 42
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 20
Емкость, пФ: 3500
Заряд затвора, нКл: 180
Описание: P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 170 Вт
Вес брутто: 2.32
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/800
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Упаковка: REEL, 800 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -38
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 60
Емкость, пФ: 2780
Заряд затвора, нКл: 230
Описание: MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 3,8 Вт
Вес брутто: 2.30
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*41/2400
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Упаковка: REEL, 800 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -31
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 60
Емкость, пФ: 1200
Заряд затвора, нКл: 63
Описание: MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 110 Вт
Вес брутто: 2.81
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 33
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 44
Емкость, пФ: 1960
Заряд затвора, нКл: 71
Описание: MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 3,8 Вт
Вес брутто: 2.31
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*41/800
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Упаковка: REEL, 800 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50
Емкость, пФ: 520
Заряд затвора, нКл: 25
Описание: MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.23
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 6,5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 29
Емкость, пФ: 650
Заряд затвора, нКл: 33
Описание: MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.24
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Описание: MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 0.7 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2P
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 58
Емкость, пФ: 710
Заряд затвора, нКл: 34
Описание: Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.23
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N+P
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30 / -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 6,5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 46
Емкость, пФ: 650
Заряд затвора, нКл: 33
Описание: MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.22
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -3,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 105
Емкость, пФ: 690
Заряд затвора, нКл: 38
Описание: MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.18
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*45*44/4000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N+P
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55 / -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7 / -3,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50
Емкость, пФ: 740
Заряд затвора, нКл: 36
Описание: MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.23
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*56/12000
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -9,5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 18
Емкость, пФ: 1690
Заряд затвора, нКл: 29
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.26
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOP-8
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 20
Емкость, пФ: 1700
Заряд затвора, нКл: 92
Описание: MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,5 Вт
Вес брутто: 0.24
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: Полевой N-канальный транзистор
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 20 / -20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5.1
Емкость, пФ: 1647
Описание: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 5 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,5 Вт
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 3,7
Емкость, пФ: 4310
Заряд затвора, нКл: 51
Описание: MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2,32 В
Диапазон рабочих температур: -55…+155 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,5 Вт
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 550
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2200
Емкость, пФ: 560
Заряд затвора, нКл: 12
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 2.95
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: 50
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 24
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2,8
Емкость, пФ: 5720
Заряд затвора, нКл: 44
Описание: MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1.8В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,5 Вт
Вес брутто: 0.13
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: 2N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 13,4
Емкость, пФ: 960
Заряд затвора, нКл: 11
Описание: Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 2.55В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто: 0.12
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 6,8
Емкость, пФ: 5250
Заряд затвора, нКл: 165
Описание: MOSFET MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1.8В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,5 Вт
Вес брутто: 0.14
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -15
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 11,2
Емкость, пФ: 2590
Заряд затвора, нКл: 98
Описание: MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1.8В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 2,5 Вт
Вес брутто: 0.25
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: P
Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -20
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 87
Емкость, пФ: 1650
Заряд затвора, нКл: 7,5
Вес брутто: 2.93
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*32*18/2000
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 180
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 4,5
Емкость, пФ: 7850
Заряд затвора, нКл: 184
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 2.99
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 195
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1,3
Емкость, пФ: 14240
Заряд затвора, нКл: 460
Описание: MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1.8В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 375 Вт
Вес брутто: 3.02
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 2,8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 75
Емкость, пФ: 400
Заряд затвора, нКл: 18,3
Описание: MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) — 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Ток утечки: непрерывный (Id) — 4 А
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1 Вт
Вес брутто: 0.38
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2500
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 25
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 5,8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 24
Емкость, пФ: 430
Заряд затвора, нКл: 5,4
Описание: MOSFET MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,7 В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Ток утечки: непрерывный (Id) — 5,8 А
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 1,25 Вт
Вес брутто: 0.06
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23
Упаковка: REEL, 3000 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 290
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2,6
Емкость, пФ: 19860
Заряд затвора, нКл: 540
Описание: MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) — 520 Вт
Вес брутто: 7.44
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/500
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247
Упаковка: TUBE, 25 шт.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 14
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 430
Емкость, пФ: 2600
Заряд затвора, нКл: 150
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 6.64
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*26*17/420
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247AC
Упаковка: 25