Микросхемы памяти

Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
Частота: 40 МГц
Интерфейс: SPI
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
Вес брутто: 0.12
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*46*50/500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1Mбит (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
Частота: 40 МГц
Интерфейс: SPI
Память: 1Mбит (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM
Вес брутто: 0.17
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*41*37/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии MT47H
Ширина: шины данных — 16 бит
Характеристика: доступа — 400 ps
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: DRAM DDR2 2G 128MX16 FBGA
Частота: тактовая (max) — 400 МГц
Память: DRAM DDR2 2 Гбит (128 Мбит х 16)
Вес брутто: 0.94
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*57/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: FBGA-84
Упаковка: REEL, 1000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Характеристика: доступа — 400 ps
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Описание: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
Частота: тактовая (max) — 400 МГц
Память: DRAM DDR2 2 Гбит (128 Мбит х 16)
Вес брутто: 0.37
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*40/300
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TFBGA-84
Упаковка: TRAY, 1260 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Характеристика: доступа — 5.4 нс
Напряжение питания: 3…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Частота: тактовая (max) — 167 МГц
Архитектура: Multiplane
Вес брутто: 1.07
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*40/1080
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOP-54
Упаковка: TRAY, 1080 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/ с памяти серии AT24C04C
Напряжение питания: 1,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 4K (512K X 8), 2-WIRE 1.7V
Частота: 1 МГц
Потребляемый ток: 3 мА (max)
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Время: доступа — 550 нс; сохранения данных — не менее 100 лет
Память: EEPROM 4K (512K X 8)
Вес брутто: 0.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 66*45*40/4000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Narrow
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/ с памяти серии AT24C256C
Напряжение питания: 1,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 256K (32K X 8), 2-WI 1.8V
Частота: 1 МГц
Потребляемый ток: 3 мА (max)
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Время: доступа — 450 нс; сохранения данных — не менее 100 лет
Память: EEPROM 256K (32K X 8)
Вес брутто: 0.12
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 67*40*54/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Narrow
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: М/ с памяти серии AT24C64D
Напряжение питания: 1,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM SERIAL EEPROM 64K 2-WIRE 1.7V
Частота: 1 МГц
Потребляемый ток: 3 мА (max)
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Время: доступа — 550 нс; сохранения данных — не менее 100 лет
Память: EEPROM 64K (8K X 8)
Вес брутто: 0.20
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 66*45*40/8000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Narrow
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Тип: М/с памяти EEPROM серии AT93C66B
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 4K (512×8/256×16) 3-WIRE, NiPdAu, 1.7V
Частота: 2 МГц
Потребляемый ток: 2 мА (max)
Интерфейс: 3-Wire, Microwire
Время: доступа — 250 нс; сохранения данных — не менее 100 лет
Память: EEPROM 4 kbit (512 x 8/256 x 16)
Вес брутто: 0.39
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 66*45*40/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Narrow
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL64B
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Вес брутто: 0.47
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Память EEPROM 64kx8 — 2.5V
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Частота: 400 (max) кГц
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Время: доступа — 900 нс
Память: 512 кбит(64k x 8) EEPROM
Вес брутто: 0.39
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*60/2100
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Wide
Упаковка: REEL, 2100 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25CL64B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 64Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
Частота: 20 МГц
Интерфейс: SPI
Память: FRAM 64 Кбит
Вес брутто: 0.47
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*46/10000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Характеристика: быстродействие — 900 нс
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 2.5-5.5V 2K (256×8)
Частота: 400 кГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 2 Кбит
Вес брутто: 0.23
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*48/4000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSSOP-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Характеристика: быстродействие — 900 нс
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM EEPROM S I2C 2K
Частота: 400 кГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 2 Кбит
Вес брутто: 0.36
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*40*40/7500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Характеристика: быстродействие — 900 нс
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM EEPROM S I2C 4k
Частота: 400 кГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 4 Кбит
Вес брутто: 0.33
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*46*46/5000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Характеристика: быстродействие — 900 нс
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 16Kbit 8Kbit 4Kbit 2Kb and 1Kb Serial
Частота: 400 кГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 16 Кбит
Вес брутто: 0.36
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*48/5000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Характеристика: быстродействие — 450 нс
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 128 Kbit 64 Kbit and 32 Kbit serial
Частота: 1 МГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 64 Кбит
Вес брутто: 0.35
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*48/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Характеристика: быстродействие — 450 нс
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM EEPROM S. I2C 64k
Частота: 1 МГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 64 Кбит
Вес брутто: 0.33
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*49*46/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/с памяти серии MT29F
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: NAND Flash SLC 8G 1GX8 TSOP
Потребляемый ток: 35 (max) мА
Память: NAND Flash 8 Гбит 1 Гбит х 8)
Вес брутто: 3.70
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*40/100
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOP-48
Упаковка: TRAY, 960 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии MT41K
Характеристика: доступа — 20 нс
Напряжение питания: 1,283…1,45 В
Диапазон рабочих температур: -40…+95 °С
Описание: DRAM DDR3 4G 256MX16 FBGA
Частота: тактовая (max) — 933 МГц
Потребляемый ток: 46 (max) мА
Память: SDRAM — DDR3L 4 Гбит (256 Мбит х 16)
Вес брутто: 0.85
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1224
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: FBGA-96
Упаковка: TRAY, 1224 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии MT47H
Ширина: шины данных — 16 бит
Характеристика: доступа — 400 ps
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: DRAM DDR2 1G 64MX16 FBGA
Частота: тактовая (max) — 400 МГц
Потребляемый ток: 95 (max) мА
Память: DRAM DDR2 1 Гбит (64 Мбит х 16)
Вес брутто: 0.32
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*49/500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: FBGA-84
Упаковка: TRAY, 1368 шт

Тип: Флеш-память
Ширина: шины данных — 8 бит
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mbit SPI — Quad I/O 104 MHz 8-SOIJ
Частота: 104 МГц
Интерфейс: SPI — Quad I/O
Вес брутто: 0.28
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/3960
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: TUBE, 90 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/с памяти серии 24AA256
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 32kx8 — 2.5V
Частота: 400 (max) кГц
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Время: доступа — 900 нс
Память: 256 kбит(32k x 8) EEPROM
Вес брутто: 0.23
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/3300
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 3300 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: NOR Flash 32 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-W 208mil (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
Частота: 100 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
Вес брутто: 0.46
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: NOR Flash 8 Mbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tape & Reel), Single SPI DataFlash
Частота: 85 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
Вес брутто: 0.39
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Narrow
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,3…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: NOR Flash 32 Mbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-W 208mil (Tape & Reel), Single SPI DataFlash
Частота: 85 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 32Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Вес брутто: 0.55
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Напряжение питания: 3… 3.6 (max) В
Описание: USB Bridge, USB to UART USB 2.0 UART Interface 24-QFN (4×4)
Потребляемый ток: 17 мА
Интерфейс: UART
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Вес брутто: 0.08
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/500
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: QFN-24
Упаковка: REEL, 1500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Характеристика: быстродействие — 500 нс
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 1Mbit IІC 1 MHz 500 ns 8-SOIC
Частота: 1 МГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 1 Мбит (128k x 8)
Вес брутто: 0.37
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 256Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
Частота: 20 (max) МГц
Интерфейс: SPI
Время: доступа — 40 нс
Память: 256 Кбит (32k x 8)
Вес брутто: 0.36
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/с памяти серии DS2431P
Напряжение питания: 2,8…5,25 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 1Kbit 1-Wire® 2 µs 6-TSOC
Потребляемый ток: 800 мкА
Интерфейс: 1-Wire
Память: EEPROM 1 kbit (256 x 4)
Вес брутто: 0.14
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 48*45*32/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOC-6
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1