Микросхемы памяти

Вес брутто: 0.12
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1500

Вес брутто: 0.19
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,3…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
Частота: 85 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 16Mb
Вес брутто: 0.15
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/196
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Wide
Упаковка: Tube, 98 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Синхронная динамическая память с произвольным доступом
Напряжение питания: 3…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 143 MHz 5.4 ns
Частота: 143 МГц
Интерфейс: Parallel
Время: доступа — 5,4 нс
Память: SDRAM 64Мбит (4Мбитх16)
Вес брутто: 0.83
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*40/540
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOP-54 (0.400″, 10.16mm Width)
Упаковка: REEL, 1500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Статическое асинхронное ОЗУ
Напряжение питания: 2,4 … 3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: SRAM — Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 10 ns
Интерфейс: Parallel
Время: доступа — 10 нс
Память: SRAM — Asynchronous 8Мбит (512Кбитх16)
Вес брутто: 2.59
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*40/135
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOP-44 (0.400″, 10.16mm Width)
Упаковка: Tray, 135 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH — NOR Memory IC 128Mbit SPI — Quad I/O, QPI, DTR 133 MHz SOIC-8
Частота: 133 МГц
Интерфейс: SPI — Quad I/O, QPI, DTR
Память: NOR 128 Мбит (16Мбит х 8)
Вес брутто: 0.50
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*40/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH — NOR Memory IC 32Mbit SPI — Quad I/O 133 MHz SOIC-8
Частота: 133 МГц
Интерфейс: SPI — Quad I/O
Память: NOR 32 Мбит (4Мбит х 8)
Вес брутто: 0.50
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*40/4000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Статическое асинхронное ОЗУ
Напряжение питания: 2,4 … 3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: SRAM — Asynchronous Memory IC 16Mbit Parallel 10 ns
Интерфейс: Parallel
Время: доступа — 10 нс
Память: SRAM — Asynchronous 16Мбит (1Мбитх16)
Вес брутто: 5.42
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/96
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TFSOP-48 (0.724″, 18.40mm Width)
Упаковка: Tray, 96 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH — NOR Memory IC 32Mbit SPI — Quad I/O 133 MHz SOIC-8
Частота: 133 МГц
Интерфейс: SPI — Quad I/O
Память: NOR 64 Мбит (8Мбит х 8)
Вес брутто: 0.48
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3