Микросхемы памяти

Тип: М/с памяти серии MT47H
Ширина: шины данных — 16 бит
Характеристика: доступа — 400 ps
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: DRAM DDR2 2G 128MX16 FBGA
Частота: тактовая (max) — 400 МГц
Память: DRAM DDR2 2 Гбит (128 Мбит х 16)
Вес брутто: 0.34
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 62*50*52/500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: FBGA-84
Упаковка: TRAY, 1260 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mbit SPI 85 MHz 8-SOIC
Частота: 85 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 64Mb
Вес брутто: 0.25
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/200
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Wide
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Память EEPROM
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 2Kbit IІC 400 kHz 900 ns 8-SOIC
Частота: 400 (max) кГц
Интерфейс: I2C
Время: доступа — 900 нс
Память: 2 кбит 256 x 8
Вес брутто: 0.18
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*44/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: TUBE, 100 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Память EEPROM
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM — EUI-48™ Node Identity — 1.8V/2.5V/3.3V/5V — I2C — 2Kbit — 8Byte Page — 400 kHz — SOT-23 — 5 Pin
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: I2C, Serial
Время: доступа — 900 нс
Память: 2 кбит 256 x 8
Вес брутто: 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*44/3000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-23-5
Упаковка: REEL, 3000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/с памяти серии 24LC64
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 64K I2 Serial EEPROM
Частота: 400 (max) кГц
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Время: доступа — 900 нс
Память: 64 kбит(8k x 8) EEPROM
Вес брутто: 0.93
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*54/1200
Тип монтажа: Through Hole
Корпус: PDIP-8
Упаковка: Tube

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Частота: 108 МГц
Интерфейс: SPI
Память: 16 Mbit (2M x 8)
Вес брутто: 0.17
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*39/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память
Ширина: шины данных — 8 бит
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 32Mbit SPI — Quad I/O 104 MHz 8-SOIJ
Частота: 104 МГц
Интерфейс: SPI — Quad I/O
Память: Flash 32 Мбит
Вес брутто: 0.31
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*36/540
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: TUBE, 90 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Вес брутто: 4.40
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 55*39*54/100

Вес брутто: 0.23
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*49/44

Тип: Линейный стабилизатор серии L78
Входное напряжение: 7…35 В
Выходное напряжение: 5 В
Выходной ток: 1,5 A
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: Linear Voltage Regulators 5.0V 1.5A Positive
Падение напряжения, В: выходов — 1
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 56*26*24/4000
Вес брутто: 2.40
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Энергонезависимое ППЗУ
Характеристика: быстродействие — 450 нс
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 256Kbit I2C 1 MHz 450 ns 8-SOIC
Частота: 1 МГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 256 Кбит
Вес брутто: 0.36
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/5000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Энергонезависимое ППЗУ
Характеристика: быстродействие — 500 нс
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 512Kbit IІC 1 MHz 500 ns 8-SOIC
Частота: 1 МГц
Интерфейс: I2C
Память: 512 Кбит
Вес брутто: 0.37
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/5000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Характеристика: быстродействие — 450 нс
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM 2 Mbit serial I2C 1.8V to 5.5V EEPROM
Частота: 1 МГц
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Память: 2 Мбит (256k x 8)
Вес брутто: 0.12
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: EEPROM
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 1Mbit SPI 16 MHz 8-SOIC
Частота: 16 МГц
Интерфейс: SPI
Время: 5 мс
Память: 1 Мбит (128k x 8)
Вес брутто: 0.12
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: EEPROM
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: EEPROM Memory IC 2Mbit SPI 5 MHz 8-SOIC
Частота: 5 МГц
Интерфейс: SPI
Время: 10 мс
Память: 2 Мбит (256k x 8)
Вес брутто: 0.12
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1